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MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 5.9GHz to 6.4GHz ・HIGH GAIN G1dB= 10.0dB at 5.9GHz to 6.4GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.) = -44dBc at Pout= 34dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-27 17:28:01
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