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TIM5964-30UL

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 5.9GHz to 6.4GHz ・HIGH GAIN G1dB= 10.0dB at 5.9GHz to 6.4GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.) = -44dBc at Pout= 34dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

TIM5964-30UL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIM5964-30UL

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,6GHZ,115W - Trays

更新时间:2026-7-31 13:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
台湾寰达/DIPTRONICS
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