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丝印代码:50P04;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Vos=-40V ID=-50 A ROS(ON)

TECHPUBLIC

台舟电子

50P04

P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP50P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 10 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A) • Low input capacitance Ci

NEC

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP50P04SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) ⎯ RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A) • Low input capacitance

RENESAS

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更新时间:2026-5-24 11:30:00
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