| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DRAM GENERAL DESCRIPTION The 4 Meg x 16 DRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory device containing 67,108,864 bits and designed to operate from 3V to 3.6V. The device is functionally organized as 4,194,304 locations containing 16 bits each. The 4,194,304 memory locations are arranged in | Micron 美光 |   |
更新时间：2025-12-29 20:46:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AT |
20+ |
TSOP |
35830 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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MRON/美光 |
24+ |
NA/ |
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MICRON/美光 |
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TSOP |
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MICRON |
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SOP |
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AT |
2021+ |
60000 |
原装现货，欢迎询价 |
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MCT |
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Micron Technology Inc |
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MICRON |
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MICRON |
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SOP |
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MT |
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