| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
4 MEG x 16 DRAM GENERAL DESCRIPTION The 4 Meg x 16 DRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory device containing 67,108,864 bits and designed to operate from 3V to 3.6V. The device is functionally organized as 4,194,304 locations containing 16 bits each. The 4,194,304 memory locations are arranged in | AUSTIN |   | ||
4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM 文件：3.76256 Mbytes Page：25 Pages | AUSTIN | |
更新时间：2025-10-30 23:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2018-12-22
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