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1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

DESCRIPTION TheISSIIS41C16100andIS41LV16100are1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas20

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

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更新时间:2024-6-16 20:00:01
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