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HighVoltageBIMOSFET HighVoltageBIMOSFET™inHighVoltageISOPLUSi4-PAC™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETswithsignificantlylowervoltagedrop -fastswitchingforhighfrequencyoperation -reverseconductioncapability • | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   | |
HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor-N-Channel,EnhancementMode HighVoltageBIMOSFET™MonolithicBipolarMOSTransistor N-Channel,EnhancementMode Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •HighVoltageBIMOSFETTM -replaceshighvoltageDarlingtonsandseriesconnectedMOSFETs -lowereffectiveRDS(on) •Monolithicconstructi | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：762.5 Kbytes Page：5 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我QQ:97877805微信：wei555222777
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