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40N120FL2

IGBT - Field Stop II

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ONSEMI

安森美半导体

IGBT - Field Stop II

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar

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安森美半导体

IGBT - Field Stop II / 4 Lead

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安森美半导体

更新时间:2026-3-1 21:02:00
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TO-247
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