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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NGTG40N120FL2WG | IGBT - Field Stop II 文件:184.17 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NGTG40N120FL2WG | 封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 40A TO-247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | ||
IGBT - Field Stop II This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar | ONSEMI 安森美半导体 | |||
IGBT - Field Stop II 文件:151.57 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
IGBT - Field Stop II / 4 Lead 文件:158.84 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
IGBT - Field Stop II 文件:151.57 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ONSEMI/安森美 |
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www.hfxcom.com
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2020-9-16
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