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Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

Features • Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz) • High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz) • Capable low voltage operation; +B = 3.5 V • High Endurance Voltage; VDS = 6 V

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-8-7 23:00:01
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