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3SK323

Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

Features • Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz) • High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz) • Capable low voltage operation; +B = 3.5 V • High Endurance Voltage; VDS = 6 V

RENESAS

瑞萨

3SK323

Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

• Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz)\n• High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz)\n• Capable low voltage operation; +B = 3.5 V\n• High Endurance Voltage; VDS = 6 V;

RENESAS

瑞萨

3SK323产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3SK323

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

更新时间:2026-7-29 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
SOT143
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
25+
SOT143
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
RENESAS/瑞萨
25+
N/A
20000
只做原装,只有原装。
RENESAS/瑞萨
25+
SOT143
90000
全新原装现货
RENESAS
22+
SOT143
3919
全新 发货1-2天
RENESAS/瑞萨
25+
SOT143
3900
本公司 只做全新原装正品

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