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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

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RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

Features • Low noise characteristics; (NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz) • High power gain characteristics ; (PG = 27.6 dB typ. at f = 200 MHz)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

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RENESAS

瑞萨

3SK317ZR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3SK317ZR

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF/VHF RF Amplifier

更新时间:2026-7-29 19:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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N/A
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工控系列传感在售
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2023+
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50000
全新原装现货
RENESAS
25+
SOT343
20000
公司现货

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