型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3SK317ZR-TL-E

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

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RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

Features • Low noise characteristics; (NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz) • High power gain characteristics ; (PG = 27.6 dB typ. at f = 200 MHz)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

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RENESAS

瑞萨

3SK317ZR-TL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3SK317ZR-TL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF/VHF RF Amplifier

更新时间:2025-11-23 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
2511
SOT343
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
24+
SOT343
80000
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RENESAS/瑞萨
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
RENESAS
1826+
SOT-343
12500
原盒原盘进口原装假一罚十价优!
RENESAS/瑞萨
23+
SOT343
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
24+
60000
RENESAS
2023+
SOT-143
58000
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日立(RENESAS)
23+
SOT-343
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
RENESAS/瑞萨
24+
SOT143
19000
只做正品原装现货
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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