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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

Features • Low noise characteristics; (NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz) • High power gain characteristics ; (PG = 27.6 dB typ. at f = 200 MHz)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

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RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

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瑞萨

更新时间:2026-7-29 11:20:01
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