位置:首页 > IC中文资料 > 3SK309XV-TL-E

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

GaAs N Channel Dual Gate MES FET UHF RF Amplifier

Features • Capable of low voltage operation (VDS = 1.5 to 3 V) • Excellent low noise characteristics (NF = 1.25 dB typ. at f = 900 MHz) • High power gain (PG = 21.0 dB typ. at f = 900 MHz)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

更新时间:2026-7-29 8:02:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
25+
N/A
20000
只做原装,只有原装。
24+
SOT-143
1890
原装现货假一罚十
RENESAS
24+
SOT-343
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS
20+
SOT343
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESASAC
26+
SOT-343
360000
进口原装现货
SOT-323
25+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
HITACHI/日立
2025+
SOT343
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
SOT-323
6200
新进库存/原装
RENESAS
2020+
SOT343
2080
全新 发货1-2天
RENESASAC
25+
SOT-343
20000
原装

3SK309XV-TL-E芯片相关品牌

3SK309XV-TL-E数据表相关新闻