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3SK309

GaAs N Channel Dual Gate MES FET UHF RF Amplifier

Features • Capable of low voltage operation (VDS = 1.5 to 3 V) • Excellent low noise characteristics (NF = 1.25 dB typ. at f = 900 MHz) • High power gain (PG = 21.0 dB typ. at f = 900 MHz)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

3SK309

Silicon N Channel MOS FET

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

3SK309产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3SK309

  • 制造商

    HITACHI

  • 制造商全称

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述

    GaAs N Channel Dual Gate MES FET UHF RF Amplifier

更新时间:2026-7-27 22:30:00
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SOT-343
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