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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF / VHF RF amplifier

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF / VHF RF amplifier

RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF / VHF RF amplifier

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-7-29 13:40:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
24+
SOT23
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS/瑞萨
25+
SOT343
90000
全新原装现货
RENESAS
23+
SOT23
13721
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
24+
SOT343
5000
全新原装正品,现货销售
RENESAS
2511
SOT23
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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
23+
SOT23
4900
原厂原装正品
RENESAS/瑞萨
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SOT343
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RENESAS/瑞萨原装特价3SK298ZP-TL-E即刻询购立享优惠#长期有货
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SOT343
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全新原装正品,优势价格

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