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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier

RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier

RENESAS

瑞萨

3SK296ZQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3SK296ZQ

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

更新时间:2026-1-5 15:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
2023+
SOT-343
2975
原厂全新正品旗舰店优势现货
HITACHI
24+
SOT343
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS/瑞萨
2223+
SOT-343
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
HITACHI
18+
SOT-343
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
RENESAS
26+
SOT343
360000
进口原装现货
日立
2023+
SOT-343
50000
原装现货
RENESAS
22+
SOT343
20000
公司只有原装 品质保证
RENESAS/瑞萨
2025+
SOT-343
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
NEC
25+23+
SOT-343
42175
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
3550
原装现货,当天可交货,原型号开票

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