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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier

RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier

RENESAS

瑞萨

3SK296ZQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3SK296ZQ

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

更新时间:2026-1-3 15:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI
24+
SOT343
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
NEC
25+23+
SOT-343
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保证进口原装可开17%增值税发票
日立
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SOT-343
50000
原装现货
RENESAS
22+
SOT343
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公司只有原装 品质保证
RENESAS/瑞萨
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SOT-343
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