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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier

RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier

RENESAS

瑞萨

3SK296ZQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3SK296ZQ

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

更新时间:2026-1-5 14:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
17+
SOT343
1380
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS/瑞萨
2223+
SOT-343
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
RENESAS
22+
SOT-343
6000
十年配单,只做原装
RENESAS
2023+
SOT343
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
23+
SOT343
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
RENESAS
26+
SOT343
360000
进口原装现货
RENESAS
2025+
SOT343
3665
全新原厂原装产品、公司现货销售
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
3550
原装现货,当天可交货,原型号开票
RENESAS/瑞萨
2025+
SOT-343
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!

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