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3SK296ZQ-TL-E中文资料

厂家型号

3SK296ZQ-TL-E

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190.02Kbytes

页面数量

8

功能描述

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

数据手册

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生产厂商

RENESAS

3SK296ZQ-TL-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Low noise figure.

NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz

• Capable of low voltage operation

Application

UHF RF amplifier

3SK296ZQ-TL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3SK296ZQ-TL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

更新时间:2025-11-1 17:46:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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