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RFAMPLIFIERFORCATVTUNERN-CHANNELSiDUALGATEMOSFIELD-EFFECTTRANSISTOR4PINSMINIMOLD

FEATURES •LowVDDUse:(VDS=3.5V) •DrivingBattery •LowNoiseFigure:NF1=2.0dBTYP.(f=470MHz)NF2=0.8dBTYP.(f=55MHz) •HighPowerGain:GPS=19.0dBTYP.(f=470MHz) •SuitableforuseasRFamplifierinCATVtuner. •AutomaticallyMounting:EmbossedTypeTaping

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

RFAMPLIFIERFORCATVTUNER N-CHANNELSiDUALGATEMOSFIELD-EFFECTTRANSISTOR 4PINSMINIMOLD FEATURES •LowVDDUse:(VDS=3.5V) •DrivingBattery •LowNoiseFigure:NF1=2.0dBTYP.(f=470MHz) NF2=0.8dBTYP.(f=55MHz) •HighPowerGain:GPS=19.0dBTYP.(f=470MHz

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-7-31 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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