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3N120-E3

3.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 3N120-E3 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 7.0 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Ca

UTC

友顺

3N120-E3

Planar Power MOSFET  (N-CH)

UTC

友顺

更新时间:2026-1-1 10:06:00
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