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3N120-E3中文资料

厂家型号

3N120-E3

文件大小

287.17Kbytes

页面数量

7

功能描述

3.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

Unisonic Technologies

简称

UTC友顺

中文名称

友顺科技股份有限公司官网

LOGO

3N120-E3数据手册规格书PDF详情

 DESCRIPTION

The UTC 3N120-E3 provide excellent RDS(ON), low gate

charge and operation with low gate voltages. This device is

suitable for use as a load switch or in PWM applications.

 FEATURES0

* RDS(ON) ≤ 7.0 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A

* Low Reverse Transfer Capacitance

* Fast Switching Capability

* Avalanche Energy Specified

* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

更新时间:2025-5-12 13:30:00
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Unisonic Technologies 友顺科技股份有限公司

中文资料: 43978条

UTC集团成立于1990年,专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete 研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。 为提供客户完整的解决方案及具价格竞争优势,公司经营策略采IDM资源垂直整合,期望能给予客户最佳选择,并创造客户最大之经济效益。 IDM采取主动的方式,从产品的研发、设计、制造、封装、测试到品牌营销, 在每一个关键点都充分掌握其自主的能力,以达到产能保障及技术自主,充分展现企业竞争力。 UTC具有完整模拟组件产品线,产品以类比IC为主(涵盖电源管理、电源驱动、运算放大器、比较器、数字功放、 逻辑IC等), 分立器件为主(涵盖低压MOS管 、高压MOS管、超结MOS、IGBT单