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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature

VBSEMI

微碧半导体

有源晶振

SJK

晶科鑫

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.2892 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:896.87 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

陶瓷保险丝管(延时型)Ceramic Tube Fuse(Time-lag)UL/VDE/CCC Approved

LANSON

良胜电子

DUAL TMOS POWER MOSFET 60 VOLTS

Medium Power Surface Mount Products TMOS Dual N-Channel Field Effect Transistors Dual HDTMOS are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature low RDS(on) and true logic level performance. Dual HDTMOS de

Motorola

摩托罗拉

N -C hannel E nhancem ent M ode Field E ffect Transistor

文件:620.45 Kbytes Page:7 Pages

ADV

爱德微

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.79899 Mbytes Page:5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

N?묬hannel SO??, Dual Power MOSFET

文件:276.07 Kbytes Page:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 3 Amps, 60 Volts N?묬hannel SO??, Dual

文件:52.47 Kbytes Page:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
639
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON
25+
TO-262
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
24+
TO-263
8500
全新原厂原包原装现货,低价出售,假一赔十
INFINEON
24+
TO-263
5000
全新原装正品,现货销售
Infineon(英飞凌)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
良胜/LANSON
24+
熔断性保险丝/FUSE
12965
原厂正品良胜专供
INFINEON
25+
TO-263
8000
只有原装
INFINEON
23+
TO-220
8000
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON
23+
TO-220
7000

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