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GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES

FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatediunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove11V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •Pbfre

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology)

Silicon-Power-ZenerDiodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation3W •NominalZ-voltage1...200V •PlasticcaseDO-15 •Weightapprox.0.4g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0

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德欧泰克

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Silicon-Power-ZenerDiodes

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更新时间:2024-6-22 23:00:01
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