3DD7E-T晶体管资料
3DD7E-T别名：3DD7E-T三极管、3DD7E-T晶体管、3DD7E-T晶体三极管
3DD7E-T生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD7E-T制作材料：Si-NPN
3DD7E-T性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD7E-T封装形式：直插封装
3DD7E-T极限工作电压：250V
3DD7E-T最大电流允许值：7.5A
3DD7E-T最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD7E-T引脚数：2
3DD7E-T最大耗散功率：75W
3DD7E-T放大倍数：
3DD7E-T图片代号：E-44
3DD7E-Tvtest：250
3DD7E-Thtest：999900
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3DD7E-Twtest：75
3DD7E-T代换 3DD7E-T用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon NPN Power Transistors 文件：143.66 Kbytes Page：3 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 250V(Min) 文件：191.09 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 300V(Min) 文件：191.44 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 400V(Min) 文件：191.71 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
3DD7E-T规格书下载地址
3DD7E-T参数引脚图相关
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