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3DD7E晶体管资料

  • 3DD7E别名:3DD7E三极管、3DD7E晶体管、3DD7E晶体三极管

  • 3DD7E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD7E制作材料:Si-NPN

  • 3DD7E性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD7E封装形式:直插封装

  • 3DD7E极限工作电压:100V

  • 3DD7E最大电流允许值:10A

  • 3DD7E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD7E引脚数:2

  • 3DD7E最大耗散功率:75W

  • 3DD7E放大倍数

  • 3DD7E图片代号:E-44

  • 3DD7Evtest:100

  • 3DD7Ehtest:999900

  • 3DD7Eatest:10

  • 3DD7Ewtest:75

  • 3DD7E代换 3DD7E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD7E

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 250V(Min)

文件:191.09 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min)

文件:191.02 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min)

文件:191.09 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min)

文件:191.09 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistors

文件:143.66 Kbytes Page:3 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 18:19:00
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