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3DD7晶体管资料

  • 3DD70A别名：3DD70A三极管、3DD70A晶体管、3DD70A晶体三极管

  • 3DD70A生产厂家：中国大陆半导体企业

  • 3DD70A制作材料：Si-NPN

  • 3DD70A性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 3DD70A封装形式：直插封装

  • 3DD70A极限工作电压：30V

  • 3DD70A最大电流允许值：9A

  • 3DD70A最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 3DD70A引脚数：2

  • 3DD70A最大耗散功率：100W

  • 3DD70A放大倍数：

  • 3DD70A图片代号：E-44

  • 3DD70Avtest：30

  • 3DD70Ahtest：999900

  • 3DD70Aatest：9

  • 3DD70Awtest：100

  • 3DD70A代换 3DD70A用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD741A8

双极型晶体管--电光源用

CRMICRO

华润微电子

3DD742A8

双极型晶体管--电光源用

CRMICRO

华润微电子

3DD7525A3

双极型晶体管--开关电源用

CRMICRO

华润微电子

3DD7A

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min)

文件：191.02 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD7B

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min)

文件：191.09 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD7C

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min)

文件：191.09 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD7D

Silicon NPN Power Transistors

文件：143.66 Kbytes Page：3 Pages

ISC

无锡固电

3DD7E

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 250V(Min)

文件：191.09 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD7F

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 300V(Min)

文件：191.44 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD7G

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 400V(Min)

文件：191.71 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD7产品属性

  • 类型

    描述

  • VCBO（V）：

    1050

  • IC（A）：

    2.5

  • Ptot（W）（@25℃）：

    30

  • hFE：

    48-100

  • 封装形式：

    TO-252

  • 更新日期：

    2017-09-30

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3DD7规格书下载地址

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