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3DD4E晶体管资料

  • 3DD4E别名:3DD4E三极管、3DD4E晶体管、3DD4E晶体三极管

  • 3DD4E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD4E制作材料:Si-NPN

  • 3DD4E性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD4E封装形式:直插封装

  • 3DD4E极限工作电压:80V

  • 3DD4E最大电流允许值:1.5A

  • 3DD4E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD4E引脚数:2

  • 3DD4E最大耗散功率:10W

  • 3DD4E放大倍数

  • 3DD4E图片代号:E-43

  • 3DD4Evtest:80

  • 3DD4Ehtest:999900

  • 3DD4Eatest:1.5

  • 3DD4Ewtest:10

  • 3DD4E代换 3DD4E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE=15~180@IC = 0.75A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 300V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching application

ISC

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