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3DD4F中文资料
3DD4F数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
·DC Current Gain
: hFE=15~180@IC = 0.75A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage
: VCEO(SUS)= 300V(Min)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose power amplifier and
switching applications.
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3DD4F 芯片相关型号
3DD4F 晶体管资料
3DD4F别名：3DD4F三极管、3DD4F晶体管、3DD4F晶体三极管
3DD4F生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD4F制作材料：Si-NPN
3DD4F性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD4F封装形式：直插封装
3DD4F极限工作电压：100V
3DD4F最大电流允许值：1.5A
3DD4F最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD4F引脚数：2
3DD4F最大耗散功率：10W
3DD4F放大倍数：
3DD4F图片代号：E-43
3DD4Fvtest：100
3DD4Fhtest：999900
- 3DD4Fatest：1.5
3DD4Fwtest：10
3DD4F代换 3DD4F用什么型号代替：
Datasheet数据表PDF页码索引
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