3DD4D-T晶体管资料
3DD4D-T别名：3DD4D-T三极管、3DD4D-T晶体管、3DD4D-T晶体三极管
3DD4D-T生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD4D-T制作材料：Si-NPN
3DD4D-T性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD4D-T封装形式：直插封装
3DD4D-T极限工作电压：200V
3DD4D-T最大电流允许值：1.5A
3DD4D-T最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD4D-T引脚数：2
3DD4D-T最大耗散功率：10W
3DD4D-T放大倍数：
3DD4D-T图片代号：E-43
3DD4D-Tvtest：200
3DD4D-Thtest：999900
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3DD4D-Twtest：10
3DD4D-T代换 3DD4D-T用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE=15~180@IC = 0.75A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 300V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching application | ISC 无锡固电 |   |
3DD4D-T规格书下载地址
3DD4D-T参数引脚图相关
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