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3DD4B晶体管资料

  • 3DD4B别名:3DD4B三极管、3DD4B晶体管、3DD4B晶体三极管

  • 3DD4B生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD4B制作材料:Si-NPN

  • 3DD4B性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD4B封装形式:直插封装

  • 3DD4B极限工作电压:30V

  • 3DD4B最大电流允许值:1.5A

  • 3DD4B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD4B引脚数:2

  • 3DD4B最大耗散功率:10W

  • 3DD4B放大倍数

  • 3DD4B图片代号:E-43

  • 3DD4Bvtest:30

  • 3DD4Bhtest:999900

  • 3DD4Batest:1.5

  • 3DD4Bwtest:10

  • 3DD4B代换 3DD4B用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE=15~180@IC = 0.75A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 300V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching application

ISC

无锡固电

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