3DD15S-E晶体管资料
3DD15S-E别名：3DD15S-E三极管、3DD15S-E晶体管、3DD15S-E晶体三极管
3DD15S-E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD15S-E制作材料：Si-NPN
3DD15S-E性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
3DD15S-E封装形式：直插封装
3DD15S-E极限工作电压：400V
3DD15S-E最大电流允许值：5A
3DD15S-E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD15S-E引脚数：3
3DD15S-E最大耗散功率：30W
3DD15S-E放大倍数：
3DD15S-E图片代号：B-91
3DD15S-Evtest：400
3DD15S-Ehtest：999900
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3DD15S-Ewtest：30
3DD15S-E代换 3DD15S-E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.) 文件：190.89 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~250(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 2.5A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·D | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.) 文件：191.19 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.) 文件：190.49 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.) 文件：190.48 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
上海 |
24+ |
NA/ |
22175 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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原装现货价格优势！ |
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XILINX |
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莱克讯每片来自原厂原盒原包装假一罚十价优 |
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国产 |
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华晶 |
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TO-3 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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铁帽 |
318 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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上海 |
2022+ |
TO-3 |
22175 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
3DD15S-E规格书下载地址
3DD15S-E参数引脚图相关
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