3DD15S-E晶体管资料

  • 3DD15S-E别名:3DD15S-E三极管、3DD15S-E晶体管、3DD15S-E晶体三极管

  • 3DD15S-E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD15S-E制作材料:Si-NPN

  • 3DD15S-E性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 3DD15S-E封装形式:直插封装

  • 3DD15S-E极限工作电压:400V

  • 3DD15S-E最大电流允许值:5A

  • 3DD15S-E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD15S-E引脚数:3

  • 3DD15S-E最大耗散功率:30W

  • 3DD15S-E放大倍数

  • 3DD15S-E图片代号:B-91

  • 3DD15S-Evtest:400

  • 3DD15S-Ehtest:999900

  • 3DD15S-Eatest:5

  • 3DD15S-Ewtest:30

  • 3DD15S-E代换 3DD15S-E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.)

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=30~250(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·D

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min.)

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.)

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=150V(Min.)

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更新时间:2024-3-28 22:30:02
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