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3DD159G晶体管资料

  • 3DD159G别名:3DD159G三极管、3DD159G晶体管、3DD159G晶体三极管

  • 3DD159G生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD159G制作材料:Si-NPN

  • 3DD159G性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD159G封装形式:直插封装

  • 3DD159G极限工作电压:400V

  • 3DD159G最大电流允许值:10A

  • 3DD159G最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD159G引脚数:2

  • 3DD159G最大耗散功率:50W

  • 3DD159G放大倍数

  • 3DD159G图片代号:E-44

  • 3DD159Gvtest:400

  • 3DD159Ghtest:999900

  • 3DD159Gatest:10

  • 3DD159Gwtest:50

  • 3DD159G代换 3DD159G用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon NPN Power Transistor

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无锡固电

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