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3DD11晶体管资料

  • 3DD1138C别名：3DD1138C三极管、3DD1138C晶体管、3DD1138C晶体三极管

  • 3DD1138C生产厂家：中国大陆半导体企业

  • 3DD1138C制作材料：

  • 3DD1138C性质：射频/高频放大 （HF）_功率放大 （PA）

  • 3DD1138C封装形式：

  • 3DD1138C极限工作电压：200V

  • 3DD1138C最大电流允许值：2A

  • 3DD1138C最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 3DD1138C引脚数：

  • 3DD1138C最大耗散功率：30W

  • 3DD1138C放大倍数：

  • 3DD1138C图片代号：NO

  • 3DD1138Cvtest：200

  • 3DD1138Chtest：999900

  • 3DD1138Catest：2

  • 3DD1138Cwtest：30

  • 3DD1138C代换 3DD1138C用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD11E

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE=15~180@IC = 15A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)=250V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications

ISC

无锡固电

3DD1118A

双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

3DD1125D

双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

3DD1180DT

双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

3DD11D

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：264.09 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD11产品属性

  • 类型

    描述

  • Package：

    die

  • Polarity：

    N

  • PTa（W）：

    0.8

  • IC(A)：

    0.8

  • VCBO（V）1：

    600

  • VCBO（V）2：

    750

  • VCEO(V)1：

    400

  • VCEO(V)2：

    450

  • Vebo(V)1：

    9

  • Vebo(V)2：

    15

  • Vcesat(V)1：

    0.6

  • Vcesat(V)2：

    0.2

  • hFE1：

    15-25

  • hFE2：

    20-25

  • ts（μs）1：

    2.5-4.5

  • ts（μs）2：

    2.5-4.5

  • Special1：

    /

  • Special2：

    /

  • Tech：

    /

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