3DD103B晶体管资料
3DD103B别名：3DD103B三极管、3DD103B晶体管、3DD103B晶体三极管
3DD103B生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD103B制作材料：Si-NPN
3DD103B性质：行输出 （HA）_场输出 （VA）
3DD103B封装形式：直插封装
3DD103B极限工作电压：600V
3DD103B最大电流允许值：3A
3DD103B最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD103B引脚数：2
3DD103B最大耗散功率：5W
3DD103B放大倍数：
3DD103B图片代号：E-44
3DD103Bvtest：600
3DD103Bhtest：999900
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3DD103Bwtest：5
3DD103B代换 3DD103B用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：288.05 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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汕晶 |
00+ |
TO-3 |
40 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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汕晶 |
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TO-3 |
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原装现货假一赔十 |
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华晶 |
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CHINA |
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华晶 |
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