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3DD103B晶体管资料

  • 3DD103B别名:3DD103B三极管、3DD103B晶体管、3DD103B晶体三极管

  • 3DD103B生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD103B制作材料:Si-NPN

  • 3DD103B性质:行输出 (HA)_场输出 (VA)

  • 3DD103B封装形式:直插封装

  • 3DD103B极限工作电压:600V

  • 3DD103B最大电流允许值:3A

  • 3DD103B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD103B引脚数:2

  • 3DD103B最大耗散功率:5W

  • 3DD103B放大倍数

  • 3DD103B图片代号:E-44

  • 3DD103Bvtest:600

  • 3DD103Bhtest:999900

  • 3DD103Batest:3

  • 3DD103Bwtest:5

  • 3DD103B代换 3DD103B用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 500V(Min.) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 4V(Max)@ IC= 3A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power amplifier , DC-DC converts

ISC

无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:288.05 Kbytes Page:2 Pages

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