3DD103B晶体管资料

  • 3DD103B别名:3DD103B三极管、3DD103B晶体管、3DD103B晶体三极管

  • 3DD103B生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD103B制作材料:Si-NPN

  • 3DD103B性质:行输出 (HA)_场输出 (VA)

  • 3DD103B封装形式:直插封装

  • 3DD103B极限工作电压:600V

  • 3DD103B最大电流允许值:3A

  • 3DD103B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD103B引脚数:2

  • 3DD103B最大耗散功率:5W

  • 3DD103B放大倍数

  • 3DD103B图片代号:E-44

  • 3DD103Bvtest:600

  • 3DD103Bhtest:999900

  • 3DD103Batest:3

  • 3DD103Bwtest:5

  • 3DD103B代换 3DD103B用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscSiliconNPNPowerTransistor

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-4-25 8:27:02
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