3DD103E晶体管资料
3DD103E别名：3DD103E三极管、3DD103E晶体管、3DD103E晶体三极管
3DD103E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD103E制作材料：Si-NPN
3DD103E性质：行输出 （HA）_场输出 （VA）
3DD103E封装形式：直插封装
3DD103E极限工作电压：1.5KV
3DD103E最大电流允许值：3A
3DD103E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD103E引脚数：2
3DD103E最大耗散功率：5W
3DD103E放大倍数：
3DD103E图片代号：E-44
3DD103Evtest：1500
3DD103Ehtest：999900
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3DD103Ewtest：5
3DD103E代换 3DD103E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD103E | iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：288.05 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
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