3DD103E晶体管资料
3DD103E别名:3DD103E三极管、3DD103E晶体管、3DD103E晶体三极管
3DD103E生产厂家:中国大陆半导体企业
3DD103E制作材料:Si-NPN
3DD103E性质:行输出 (HA)_场输出 (VA)
3DD103E封装形式:直插封装
3DD103E极限工作电压:1.5KV
3DD103E最大电流允许值:3A
3DD103E最大工作频率:<1MHZ或未知
3DD103E引脚数:2
3DD103E最大耗散功率:5W
3DD103E放大倍数:
3DD103E图片代号:E-44
3DD103Evtest:1500
3DD103Ehtest:999900
- 3DD103Eatest:3
3DD103Ewtest:5
3DD103E代换 3DD103E用什么型号代替:
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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3DD103E | iscSiliconNPNPowerTransistor 文件:288.05 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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3DD103E规格书下载地址
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