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3DD103C中文资料

3DD103C
厂家型号

3DD103C
文件大小

272.57Kbytes
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2页
功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor
数据手册

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生产厂商

ISC

相近规格书

3DD103C数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 500V(Min.)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 4V(Max)@ IC= 3A

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier , DC-DC converts

3DD103C供应商...

更新时间：2026-1-1 14:07:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
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3DD103C 芯片相关型号

3DD103C 晶体管资料

  • 3DD103C别名：3DD103C三极管、3DD103C晶体管、3DD103C晶体三极管

  • 3DD103C生产厂家：中国大陆半导体企业

  • 3DD103C制作材料：Si-NPN

  • 3DD103C性质：行输出 （HA）_场输出 （VA）

  • 3DD103C封装形式：直插封装

  • 3DD103C极限工作电压：800V

  • 3DD103C最大电流允许值：3A

  • 3DD103C最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 3DD103C引脚数：2

  • 3DD103C最大耗散功率：5W

  • 3DD103C放大倍数：

  • 3DD103C图片代号：E-44

  • 3DD103Cvtest：800

  • 3DD103Chtest：999900

  • 3DD103Catest：3

  • 3DD103Cwtest：5

  • 3DD103C代换 3DD103C用什么型号代替：

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