3CD104E晶体管资料

  • 3CD104E别名:3CD104E三极管、3CD104E晶体管、3CD104E晶体三极管

  • 3CD104E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3CD104E制作材料:Si-PNP

  • 3CD104E性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 3CD104E封装形式:直插封装

  • 3CD104E极限工作电压:150V

  • 3CD104E最大电流允许值:2A

  • 3CD104E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3CD104E引脚数:2

  • 3CD104E最大耗散功率:15W

  • 3CD104E放大倍数

  • 3CD104E图片代号:E-44

  • 3CD104Evtest:150

  • 3CD104Ehtest:999900

  • 3CD104Eatest:2

  • 3CD104Ewtest:15

  • 3CD104E代换 3CD104E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : VCEO=-100V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device Performance and reliable operation APPLICATIONS ·Power amplifier and switching applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 19:00:02
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