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3CD104中文资料

厂家型号

3CD104

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290.64Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

3CD104数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: VCEO=-100V(Min)

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

Performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Power amplifier and switching applications

更新时间:2026-3-7 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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3CD104 晶体管资料

  • 3CD104B别名:3CD104B三极管、3CD104B晶体管、3CD104B晶体三极管

  • 3CD104B生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3CD104B制作材料:Si-PNP

  • 3CD104B性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 3CD104B封装形式:直插封装

  • 3CD104B极限工作电压:50V

  • 3CD104B最大电流允许值:2A

  • 3CD104B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3CD104B引脚数:2

  • 3CD104B最大耗散功率:15W

  • 3CD104B放大倍数

  • 3CD104B图片代号:E-44

  • 3CD104Bvtest:50

  • 3CD104Bhtest:999900

  • 3CD104Batest:2

  • 3CD104Bwtest:15

  • 3CD104B代换 3CD104B用什么型号代替