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丝印代码:35HF60WDI;35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

Description This ultrafast IGBT is developed using a new planar technology to yield a device with tighter switching energy variation (Eoff) versus temperature. The suffix W denotes a subset of products designed for high switching frequency operation (over 100 kHz). Features ■ Improved Eo

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意法半导体

35 A, 600 V ultra fast IGBT

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更新时间:2026-7-29 15:53:01
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