| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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丝印代码：33N60DM2；N-channel 600 V, 0.110 Ω typ., 24 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in TO-220FP package Features Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100 avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Zener-protected Applications Switching applications Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
N-channel 600 V, 0.110 廓 typ., 24 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in D짼PAK, TO-220 and TO-247 packages 文件：1.11737 Mbytes Page：20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600 V, 0.115(ohm) typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 文件：784.46 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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