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丝印代码:NCE30P40K;NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE30P40K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS = -30V,ID = -40A RDS(ON) =7.8mΩ @ VGS= -10V (Typ) RDS(ON) =11.5mΩ @ VGS= -4.5V (Ty

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更新时间:2026-7-29 13:38:01
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