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Fast Switching

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ISC

无锡固电

N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL 100V - 0.06Ω - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ SURFACE-MOUNTING D2PAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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华之美半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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华之美半导体

更新时间:2026-7-30 13:01:01
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