| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | ||
Power Schottky rectifier 文件：167.64 Kbytes Page：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low forward voltage drop, low power losses 文件：144.59 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2025+ |
DEFAULT |
82600 |
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VISHAY |
26+ |
原厂封装 |
8900000 |
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VISHAY/威世 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO220AB |
8000 |
只做原装现货 |
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Vishay(威世) |
2511 |
N/A |
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电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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