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High power PNP epitaxial planar bipolar transistor

Description This device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO > -230V ■ Complementary to 2STC5200 ■ Fast-switching speed ■ Ty

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-25 23:01:01
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