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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V) • Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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Switching Regulator Applications

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更新时间:2025-12-29 23:01:01
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