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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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2SK3484 | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3484 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 125 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) RDS(on)2 = 148 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8 A) • Low Ci | RENESAS 瑞萨 |   | |
2SK3484 | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch | VBSEMI 微碧半导体 | | |
2SK3484 | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.02284 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
2SK3484 | Nch Single Power Mosfet 100V 16A 125Mohm Mp-3/To-251 | RENESAS 瑞萨 | | |
2SK3484 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：144.92 Kbytes Page：8 Pages | NEC 瑞萨 | | |
2SK3484 | MOS Field Effect Transistor 文件：46.79 Kbytes Page：1 Pages | KEXIN 科信电子 | | |
2SK3484 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：399.2 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3484 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 125 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) RDS(on)2 = 148 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8 A) • Low Ci | RENESAS 瑞萨 | | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：241.86 Kbytes Page：10 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Nch Single Power Mosfet 100V 16A 125Mohm Mp-3Z/To-252 | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.49723 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：331.65 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：144.92 Kbytes Page：8 Pages | NEC 瑞萨 | | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.01335 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Nch Single Power Mosfet 100V 16A 125Mohm Mp-3Zk/To-252 | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.00816 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：401.77 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
2SK3484产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3484
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2450+ |
TO251-3 |
6540 |
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
66600 |
专业芯片配单原装正品假一罚十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
MP-3TO-251 |
2006000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
NEC |
24+ |
TO-251 |
8866 |
||||
Renesas |
21+ |
7185 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
||||
NEC |
25+ |
100 |
公司现货库存 |
||||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
RENESAS |
22+ |
SOT252 |
5000 |
原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
|||
NEC |
25+ |
TO-251A |
917 |
全新原装正品支持含税 |
|||
NEC |
18+ |
TO251 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
2SK3484规格书下载地址
2SK3484参数引脚图相关
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2SK3484数据表相关新闻
2SMPP-02
优势渠道
2023-2-162SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3105-T1B-A Manufacturer Part Number: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas Pbfree Code: Yes Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP P
2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
DdatasheetPDF页码索引
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