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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2SK3418 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 4.3 mΩ typ. • Capable of 4 V gate drive • High speed switching | RENESAS 瑞萨 | ||
2SK3418 | 2SK3418 FEATURES • Low on-resistance RDS (on) = 4.3mΩ typ. • Low voltage drive (4V drive) • The switching speed is fast. | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | ||
2SK3418 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件:1.28929 Mbytes Page:7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 4.3 mΩ typ. • Capable of 4 V gate drive • High speed switching | RENESAS 瑞萨 | |||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件:136.79 Kbytes Page:10 Pages | RENESAS 瑞萨 |
2SK3418产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3418
- 制造商
HITACHI
- 制造商全称
Hitachi Semiconductor
- 功能描述
2SK3418
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
79999 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
RENESAS |
TO-220 |
67430 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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RENESAS |
24+ |
TO220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
NA |
8021 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
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RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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KEXIN |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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NEC |
23+ |
TO-220 |
35890 |
||||
日立 |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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TOSHIBA |
24+ |
TO-126 |
4326 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
26050 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
2SK3418规格书下载地址
2SK3418参数引脚图相关
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2SK3418数据表相关新闻
2SMPP-02
优势渠道
2023-2-162SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3105-T1B-A Manufacturer Part Number: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas Pbfree Code: Yes Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP P
2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 50mA 漏源电压(Vdss) 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散(Ta=25°C) 200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
DdatasheetPDF页码索引
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