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Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

Features : • Low on-resistance RDS= 0.455 Ωtyp. (V GS= 10 V , ID= 250 mA) RDS= 0.9 Ωtyp. (V GS= 4 V , ID= 100 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

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RENESAS

瑞萨

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-1-4 18:27:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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