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SiliconNChannelMOSFETHighSpeedSwitching

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedSwitching Features •Lowon-resistance RDS=1.26Ωtyp.(VGS=10V,ID=150mA) RDS=2.8Ωtyp.(VGS=4V,ID=50mA) •4Vgatedrivedevice. •Smallpackage(MPAK)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedSwitching

文件:157.16 Kbytes Page:10 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2024-9-23 17:59:03
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